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INFINEON MOSFET, 40V Drain-Source, 162A Drainstrom, 200W Verlustleistung, 4 Ohm Widerstand, THT

INFINEON MOSFET, 40V Drain-Source, 162A Drainstrom, 200W Verlustleistung, 4 Ohm Widerstand, THT

Número de producto: IRF1404PBF

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Descripción

Información sobre el producto " INFINEON MOSFET, 40V Drain-Source, 162A Drainstrom, 200W Verlustleistung, 4 Ohm Widerstand, THT"

INFINEON IRF1404PBFIN: Hochleistungs-MOSFET
Mit einer Drain-Source Spannung von 40V und einem Drainstrom von 162A bietet der INFINEON IRF1404PBFIN enorme Leistung für Motorsteuerungen oder Energieversorgungen. Dank unipolarer Polarisierung und nur 4mΩ Widerstand im Leitungszustand profitierst du von maximaler Effizienz und minimierten Verlusten. Ideal für Maker, die innovative und leistungsfähige Elektronikprojekte realisieren möchten.

Merkmale im Überblick
  • Unipolare Polarisierung: Sorgt für eine hohe Effizienz in verschiedenen Schaltungskonfigurationen.
  • Widerstand im Leitungszustand von nur 4mΩ: Minimiert Verluste und verbessert die Gesamteffizienz.
  • Gate-Ladung von 160nC: Optimiert das Schaltverhalten für schnelle Schaltvorgänge.
Technische Daten
  • Drain-Source Spannung: 40V
  • Drainstrom: 162A
  • Verlustleistung: 200W
  • Gehäuse: TO220AB
  • Gate-Source Spannung: ±20V
  • Widerstand im Leitungszustand: 4mΩ
  • Gate-Ladung: 160nC
  • Montage: THT
  • Polarisierung: unipolar
Lieferumfang
  • 1x Transistor: N-MOSFET, unipolar, 40V, 162A, 200W, TO220AB

Propiedades

Gewicht Brutto (in kg): 0.002
Zolltarifnummer: 85444995
Artikelnummer: IRF1404PBF
Herkunftsland: China
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller Produktnummer: IRF1404PBF
Montage: THT
VPE: 1 / 50

Hersteller- und Sicherheitsinformationen

Hersteller-Informationen
Infineon Technologies AG
Am Campeon 1-15
DE 85579 Neubiberg
https://www.infineon.com
[email protected]

WEEE-Nummer: 17968585

Verantwortliche Person für die EU
Siehe Hersteller-Informationen

Sicherheitshinweise
  • Berührung von Anschlüssen vermeiden, um elektrostatische Entladung (ESD) zu verhindern.
  • Nur in dafür vorgesehenen ESD-sicheren Arbeitsbereichen einsetzen.
  • Nicht außerhalb der spezifizierten elektrischen Grenzwerte betreiben.
  • Vor Überhitzung durch ausreichende Kühlung oder Kühlkörper schützen.
  • Keine mechanische Belastung der Anschlüsse oder Gehäuse ausüben.
  • Bei der Entsorgung geltende Richtlinien für Elektronikmüll beachten.
  • Transistoren niemals in den Hausmüll werfen, ordnungsgemäße Recyclingstellen verwenden.

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