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Informations sur le produit "TIP122F NPN Darlington-Transistor, 100V, 8A, TO-220FP"
Der TIP122F ist ein NPN Darlington-Transistor von ST Microelectronics, der in einem TO-220FP-Gehäuse untergebracht ist. Dieser Transistor bietet eine Kollektor-Emitter-Spannung von 100V und einen maximalen Kollektor-Emitter-Strom von 5A. Ideal für Anwendungen, die eine hohe Verstärkung und Stromhandhabung erfordern.
Merkmale im Überblick
- Hohe Verstärkung: Ideal für Anwendungen, die eine starke Signalverstärkung benötigen.
- Robustes TO-220FP-Gehäuse: Bietet eine effiziente Wärmeableitung und Schutz.
- Hohe Stromhandhabung: Unterstützt bis zu 5A Kollektor-Emitter-Strom.
- Breiter Spannungsbereich: Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 100V.
- Vergleichstyp: TIP120, TIP121, TIP122
- Transistortyp: NPN
- Polarisierung: bipolar
- Transistor-Art: Darlington
- Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
- Kollektor-Emitter-Strom: 5A
- Leistung: 2W
- Gehäuse: TO220FP
- Montage: THT
- 1x TIP122F NPN Darlington-Transistor
| Gewicht Brutto (in kg): | 0.002 |
|---|---|
| Zolltarifnummer: | 85444995 |
| Artikelnummer: | TIP122F |
| Herkunftsland: | Chine |
| Hersteller: | ST Microelectronics |
| Hersteller Produktnummer: | TIP122F |
STMicroelectronics N.V.
Chemin du Champ des FillesPlan-Les-Ouates 39
CH 1228 Genf
https://www.st.com
[email protected]
WEEE-Nummer: 17968585
Verantwortliche Person für die EU
TME Germany GmbH
Dohnanyistraße 28-30
DE 04103 Leipzig
https://www.tme.eu/de/
[email protected]
Sicherheitshinweise
- Berührung von Anschlüssen vermeiden, um elektrostatische Entladung (ESD) zu verhindern.
- Nur in dafür vorgesehenen ESD-sicheren Arbeitsbereichen einsetzen.
- Nicht außerhalb der spezifizierten elektrischen Grenzwerte betreiben.
- Vor Überhitzung durch ausreichende Kühlung oder Kühlkörper schützen.
- Keine mechanische Belastung der Anschlüsse oder Gehäuse ausüben.
- Bei der Entsorgung geltende Richtlinien für Elektronikmüll beachten.
- Transistoren niemals in den Hausmüll werfen, ordnungsgemäße Recyclingstellen verwenden.
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