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Der PN2222ABU ist ein NPN-Bipolartransistor, der für verschiedene elektronische Anwendungen geeignet ist. Er bietet eine maximale Spannung von 40V, einen maximalen Strom von 1A und eine Frequenz von 300MHz. Mit einem HFE-Wert von 35 und einem kompakten TO-92 Gehäuse mit 3 Pins ist dieser Transistor vielseitig einsetzbar.
Articolo no.: PN2222ABU
Der STP16NF06 ist ein N-Kanal MOSFET Transistor in einem TO-220 Gehäuse, der für eine maximale Drain-Source-Spannung von 60V und einen Dauer-Drainstrom von 16A ausgelegt ist. Mit einem maximalen Drain-Source-Widerstand von 0,1 Ω und einer hohen Verlustleistung von 45W bietet er hohe Leistungseffizienz für anspruchsvolle Anwendungen.
Articolo no.: STP16NF06
Der 2N2222A bipolare NPN-Transistor unterstützt eine maximale Kollektor-Emitter-Spannung von 40V, einen Strom von 600mA und eine Frequenz bis zu 250 MHz. Durch seine TO-92 Bauform und THT-Montage bietet er eine vielseitige Einsetzbarkeit und einfache Integration in elektronische Schaltungen.
Articolo no.: 2N2222A
Der IRLB8721PBF ist ein N-Kanal MOSFET Transistor mit 30V Drain-Source Spannung und einem maximalen Drainstrom von 62A. Das TO-220AB Gehäuse ermöglicht einfache Montage und optimale Wärmeableitung. Der Transistor hat eine Leistung von 65W und einen Widerstand von 8.7mΩ im Leitungszustand. Ideal für Hochstromanwendungen und digitale Steuerungen.
Articolo no.: IRLB8721PBF
Der BC547B ist ein bipolarer NPN Transistor in TO-92 Gehäuse, der bis zu 45V Kollektor-Emitter-Spannung und 100mA Strom handhaben kann. Ideal für Schaltungen mit bis zu 500mW Verlustleistung, bietet er Transistorverstärkung von 200 bis 450 und eignet sich für Anwendungen bis 100MHz.
Articolo no.: BC547B
Der TIP122F ist ein NPN Darlington-Transistor von ST Microelectronics im robusten TO-220FP-Gehäuse. Mit einer Kollektor-Emitter-Spannung von 100V, einem Kollektor-Emitter-Strom von 5A und einer Leistung von 2W eignet sich dieser Transistor ideal für Anwendungen mit hoher Signalverstärkung und starker Stromhandhabung.
Articolo no.: TIP122F
Der INFINEON IRF1404LPBF ermöglicht hohe Drain-Source Spannungen von 40V und Drainströme bis zu 162A, ideal für leistungsintensive Anwendungen. Mit einer Verlustleistung von 200W und unipolarer Polarisierung eignet er sich hervorragend für effiziente Energieversorgungen und Motorsteuerungen. Seine robustes TO262-Gehäuse gewährleistet eine zuverlässige Leistung.
Articolo no.: IRF1404LPBF
Der INFINEON IRF1404LPBF zeichnet sich durch eine hohe Drain-Source Spannung von 40V und einen Drainstrom von 162A aus. Mit einer Verlustleistung von 200W und einem Widerstand von nur 4mΩ bietet er hohe Effizienz und Leistung für vielfältige Anwendungen in der Leistungselektronik. Seine robustes TO220AB-Gehäuse gewährleistet eine zuverlässige Leistung.
Articolo no.: IRF1404PBF
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