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Descrizione

Info sui prodotti "STP16NF06 - N-Kanal MOSFET Transistor, 60V, 16A, TO-220, 3-pin"

STP16NF06 N-Kanal MOSFET Transistor - Kurzbeschreibung
Der STP16NF06 ist ein N-Kanal MOSFET Transistor im TO-220 Gehäuse, konzipiert für hohe Leistung mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60V und einem Dauer-Drainstrom von 16A. Er zeichnet sich durch geringen Widerstand und hohe Effizienz aus, ideal für vielfältige Elektronikanwendungen.

Merkmale im Überblick
  • Hohe Drain-Source-Spannung von 60V: Ermöglicht den Einsatz in leistungsstarken Schaltkreisen.
  • Maximaler Dauer-Drainstrom von 16A: Bietet hohe Durchlassfähigkeit für Ströme.
  • Gehäusegröße TO-220: Bekannt für gute Wärmeabführung und einfache Montage.
Technische Daten
  • Abmessungen: 10.4 x 4.6 x 9.15mm
  • Anzahl der Elemente pro Chip: 1
  • Betriebstemperatur max.: +175 °C
  • Betriebstemperatur min.: -55 °C
  • Breite: 4.6mm
  • Channel Mode: Enhancement
  • Channel-Typ: N
  • Dauer-Drainstrom max.: 16 A
  • Drain-Source-Spannung max.: 60 V
  • Drain-Source-Widerstand max.: 0,1 Ω
  • Eingangskapazität typ. @ Vds: 315 pF V @ 25
  • Gate-Ladung typ. @ Vgs: 10 Öffner V @ 10
  • Gate-Source Spannung max.: ±20 V
  • Gehäusegröße: TO-220
  • Höhe: 9.15mm
  • Kategorie: Leistungs-MOSFET
  • Konfiguration: Single
  • Länge: 10.4mm
  • Montage-Typ: Durchsteckmontage
  • Pinanzahl: 3
  • Typical Turn-Off Delay Time: 17 ns
  • Typical Turn-On Delay Time: 7 ns
  • Verlustleistung max.: 45 W
Lieferumfang
  • 1 x STP16NF06 MOSFET Transistor
Proprietà
Gewicht Brutto (in kg): 0.001
Zolltarifnummer: 85444995
Artikelnummer: STP16NF06
Herkunftsland: China
Hersteller: ST Microelectronics
Hersteller- und Sicherheitsinformationen
Hersteller-Informationen
STMicroelectronics N.V.
Chemin du Champ des FillesPlan-Les-Ouates 39
CH 1228 Genf
https://www.st.com
[email protected]

WEEE-Nummer: 17968585

Verantwortliche Person für die EU
TME Germany GmbH
Dohnanyistraße 28-30
DE 04103 Leipzig
https://www.tme.eu/de/
[email protected]

Sicherheitshinweise
  • Berührung von Anschlüssen vermeiden, um elektrostatische Entladung (ESD) zu verhindern.
  • Nur in dafür vorgesehenen ESD-sicheren Arbeitsbereichen einsetzen.
  • Nicht außerhalb der spezifizierten elektrischen Grenzwerte betreiben.
  • Vor Überhitzung durch ausreichende Kühlung oder Kühlkörper schützen.
  • Keine mechanische Belastung der Anschlüsse oder Gehäuse ausüben.
  • Bei der Entsorgung geltende Richtlinien für Elektronikmüll beachten.
  • Transistoren niemals in den Hausmüll werfen, ordnungsgemäße Recyclingstellen verwenden.
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